芯片制造商Netsol推出STT-MRAM

电子说

1.2w人已加入

描述

STT-MRAM是一种先进的磁阻,它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器,是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。
 
    STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造,得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺,Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸。大规模生产STT-MRAM,在从物联网到医疗和汽车的广泛行业提供替代品。
 
    Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言,是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
     容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。数据保存期10年,拥有无限读取耐力,写入耐力1014,无需外部ECC,工业标准引脚及封装8WSON、8SOP。样品测试及规格书详情联系代理英尚微电子。

Netsol 串行MRAM

 

Part Number Density Interfaces VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Temperature Package
S3A1004V0M 1Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1004R0M 1Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A2004V0M 2Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A2004R0M 2Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A4004V0M 4Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A4004R0M 4Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A8004V0M 8Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A8004R0M 8Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1604V0M 16Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1604R0M 16Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A3204V0M 32Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A3204R0M 32Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP

 



审核编辑 黄宇

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分