法国CEA-Leti正计划新建一条工艺引导线

　　欧洲三大微电子研究所之一的法国cea-leti计划以fd-soi（完全消耗硅）技术为基础，开发10纳米低电力技术模块。该技术将扩展到7纳米技术，这是duv光刻技术的局限性。

　　机构方面表示，新的fd-soi技术将与18、22、28纳米的现有设计进行互换，还将包括嵌入式非挥发性存储器（envm）技术。该项目在法国政府的资助下被分离为《欧盟芯片法案》。

　　据报道，位于法国格勒诺布的3000平方米无尘室将于今年9月动工建设，目前正在生产fd-soi零部件的晶体管半导体和格子工程模块将被开发出来。新的工程将在三年内准备好，使用st. semiconductor在克劳斯附近的新合资晶片工厂和soitec的soi晶片。