三相交流输入驱动器多等级的滤波设计方案

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描述

0.引言

随着工控行业一体化,集成化的快速发展,对系统EMC带来了新的挑战,特别是系统中作为驱动核心的驱动器,作为强干扰源会干扰和自扰系统中的敏感设备。为适应不同的行业与场景应用,驱动器需要多等级的EMI设计,来灵活应对不同的需求,本文以IEC 61800-3中EMI限值要求为基准,针对三相交流输入驱动器给出了多等级的滤波设计方案。

1.EMI等级类简述

1.1 等级简述

C1等级: 驱动器应用在民用或商业环境场合(额定电压<1000V)。

C2等级:驱动器应用在工业、民用或商业环境场合,特别是民用或商用环境,需要由专业的人员进行安装和调试(额定电压<1000V)。

C3等级:驱动器应用在工业区域或技术区域环境中(额定电压<1000V)。

C4等级: 额定电压>1000V或额定电流>400A,或者预期应用在工业区域或技术区域环境中的复杂系统中的驱动器。

1.2 限值

(1)C1和C2限值如下表:

表1 C1和C2传导发射限值

电抗器

表2 C1和C2辐射发射限值

电抗器

(2)C3限值:

表3 C3传导发射限值

电抗器

表4 C3辐射发射限值

电抗器

C4:无具体限值,需客户和制造商协商决定,目前行业多以C3等级要求,避免C4等级复杂风险分析与管理。

2.C1等级的EMI设计方案

2.1 输入一级LC滤波与输出磁环的设计方案

电抗器

  1. C13/C14/C15为端口差模滤波,一般0.22uF~2.2uf左右;
  2. L1共模电感为mH级,根据驱动器功率进行选择,一般在2mH~8mH左右,可适当增加差模感量(3%→6%),减小差模电容的体积压力;
  3. C1/C2/C3星接差模滤波,一般0.1uF~2.2uF左右,可采用模块化电容(三个电容集成在一起),减小体积;
  4. C4为差模星接点对地的共模滤波,一般0.01~1uF左右,C4要结合漏电流要求进行选取。
  5. L2输出共模滤波,一般为非晶环形磁环,一匝约为uH级感量,对EMI、RE、运行漏电流都有很大的改善。

① C5/C6/C7为高频滤波,一般1nf~4.7nf左右,选配设计,根据需要进行预留;

② C7/C8为母线滤波,一般2.2nf-0.47uf左右,可结合端口L1形成LC滤波而不需要端口星接部分电容,具体根据设计需求定。同时要确认电容是否满足安规要求。

③ 母线差模和共模的滤波结合,选配设计,根据需要进行预留。C9/C10的串联可降低差模电容耐压等级。因C9和C10的存在,同样可降低共模电容C11的耐压等级;C9/C10一般0.010.47uF,C11一般为2.2nf4.7nF。

④ 母线差模滤波C12,一般1nf-10nf左右,来减小母线回路面积,特别是对30MHz35MHz(RE)频段有36dB左右的改善。

2.2 输入两级LC的设计方案

电抗器

1.共模电感L1和L2为mH级,一般2mH~5mH左右,根据实际功率进行参数调整;

2.C17/C18/C19为端口差模滤波,一般0.22uF~2.2uf左右;

3.C13/C14/C15/C1/C2/C3星接差模,一般0.22uF1uf左右;C4/C16星接点对地电容,一般0.010.47uF左右。① 、②、③、④同上所述。

3.C2等级的EMI设计方案

3.1 输入一级LC滤波设计方案

电抗器

3.2 母线电抗器方案

电抗器

电抗器

2.C3等级的EMI设计方案

C1/C2/C3星接差模滤波,一般0.1uF2.2uF左右,C4为差模星接点对地的共模滤波,一般0.010.47uF左右;

①、②、③、④为选配,根据调试结果确定,一般②电路保留选取2.2nf或4.7nf。

3.总结

本文结合实际的设计整改与样机解剖分析经验,给出了不同EMI等级的滤波拓扑结构与参数经验范围,可供工程师设计参考。工程师需要注意,滤波拓扑结构可在本文基础进行变化,灵活应对设计与测试过程中的问题。

(1) C1等级需要两级LC拓扑或一级LC加输出磁环可满足要求;

(2) C2等级需要一级LC拓扑或π型拓扑可以满足要求;

(3) C3等级需要电容滤波就可以满足要求;

4.思考与启示

(1) 滤波拓扑设计可结合谐波抑制电抗器进行,减少滤波器件,缩小体积;

(2) 滤波电容一般需要选用安规电容或满足安规认证要求的电容,特别是母线高压滤波电容,避免安规认证不通过。

(3) 对于有漏电保护场合,要从设计端考虑静态漏电流与运行漏电流的抑制或规避方法,避免实际现场使用导致跳闸及触电风险而带来的客户满意度问题;

(4)EMI等级定义与使用环境密切相关,工程师要正向引导客户确定合适的EMI等级需求,从设计、测试、整改及认证等环节避免无意义资源的投入;

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