美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%

　　10月11日，美光公司推出了使用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存。美光公司表示，这将成为用duv制造新一代1βDRAM的美光公司最后的存储器芯片，之后将延续到euv极紫外***。

　　美光公司的1β制造工艺使用本公司的新一代高k金属栅极工程（hkmg）， 16gb芯片的比特密度和能源效率分别比1a节点提高35%和15%。新技术有助于制造ddr5、lpddr5x芯片。

　　利用1β节点的美光公司的第一个产品是16Gb LPDDR5X-8500存储器，为了节约电力，将使用动态力量增强技术和edvfsc（频率扩展内核）电压控制技术。

　　美光公司推出的1β DDR5 DRAM目前供应给数据中心和电脑用户，最大速度为7200mt/s。最新ddr5内存采用先进的high-k高介电CMOS器件技术，比以前的产品提高了50%，每瓦提高了33%的性能。

　　美光公司的1β技术支持多种基于内存的解决方案，其中包括使用16gb、24gb、32gb dram的ddr5 rdimm和mcrdimm内存模块。使用16g和24g dram的lpddr5x、hbm3e、gddr7。

　　美光公司表示，新的16gb lpddr5x-8500产品已经准备大规模批量生产，目前正在向各方提供抽样服务，今后将通过直接销售和频道合作进行销售。