凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS

描述

 

凌锐半导体推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异,开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动,能够满足高可靠性、高性能的应用需求。

据透露,凌锐1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS已达量产阶段,并在Q4实现客户端批量交货。并且,凌锐正积极布局研发下一代更高性能的产品。

具体来看,在开关损耗方面,凌锐产品的开关损耗大幅降低,功率模块发热量减少,降低了对功率模块散热器和整个变流器冷却系统的要求,进而体积和重量减少。

同时,可以在更高频率下切换,将降低电路中变压器、电容、电抗器等无源元件的体积和重量,从而优化整体的拓扑结构和重量管理。

在栅氧质量方面,凌锐产品有较大的栅氧工作电压范围,且有较小的VSD,体二极管续流时有显著小的续流损耗,从而保护栅氧免遭应力而导致的失效或退化。

此外,在各种应用场景的特殊性和兼容性方面,凌锐对产品设计进行了多次迭代优化,从而能够同时兼容15V和18V栅极驱动电压。

在15V 的驱动下,凌锐产品能够与友商相互兼容;而在18V 的驱动下,客户则能充分发挥凌锐产品的性能优势。

凌锐半导体专注于第三代半导体碳化硅(SiC)车规级芯片研发与销售,公司总部位于上海,设有中国与欧洲两个研发中心,核心团队由来自于原英飞凌(Infineon)、科锐(CREE Wolfspeed)、 意法(ST)、安森美(Onsemi)核心功率器件团队的海归与外国专家组成,具备深厚的功率器件开发和量产经验。

今年9月消息,据乾融控股官微消息,乾融控股旗下乾融园丰基金已完成对凌锐半导体(上海)有限公司Pre-A轮融资的领投,继续拓展延链第三代半导体领域的产业生态投资布局。据悉,凌锐半导体自创立起,精准定位高端车规级MOSFET,对标国际一线大厂产品,并与产业链上下游建立了深度合作,目前有多款产品通过核心客户测试验证,并已获得多家同行业上市公司的战略入股。

电抗器

根据2022年Yole的最新市场调研报告,碳化硅(SiC)芯片市场将由2021年的10亿美元激增至2027年的60-70亿美元,年复合增长率达34%以上。受益于电动汽车与新能源的长期需求,未来10-20年都是碳化硅的高景气赛道。

目前碳化硅MOS市场几乎完全被欧美巨头占据。尽管国内涌现了几个碳化硅团队,真正掌握核心技术的少,产品主要以SBD为主,能达到车规且大批量出货的几乎没有。






审核编辑:刘清

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