比亚迪半导体“半导体功率器件”相关专利获授权

　　比亚迪半导体股份有限公司申请了“半导体功率器件的元胞结构及半导体功率器件”，申请公告日为10月17日，申请公告号为cn219842992u。

　　根据专利摘要，该实用新型公开了半导体电力配件的单元结构和半导体电力配件。上述细胞结构包括：第一导电类型的移动区域有相对设定的第一表面和第二表面。第二导电类型的第一混入区形成于漂流区的第一表面。第一导电型的源区是第二导电型的第一杂质区在远离漂移区的表面形成。阴极金属层在远离发源地和漂移区的表面上形成。沟槽栅结构，沟槽栅结构自源区表面延伸到移动区。层间的介质层位于沟槽栅结构和阴极金属层之间。阳极金属层，阳极金属层位于移动区域的第二个表面。另外，几种第二道well区位于漂移区、沟槽栅结构的下方。