直播回顾 | 宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试

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宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。

宽禁带半导体材料适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件，正在成为固态光源和电力电子、微波射频器件的重要材料，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。

宽禁带半导体材料的表征，以载流子浓度及载流子迁移率为主，此外， 电阻率测试也很重要。

宽禁带半导体材料测试难点在于

■ 宽禁半导体带材料的带隙较大，击穿电场较高。需要上千伏高压进行测试。

■ 宽禁带半导体材料是高流器件的制备材料，需要用到几十安培的高流进行测试。

■ 四线法及霍尔效应测试均是加流测压的过程，需要设备能输出电流并且测试电压。

■ 电阻率及电子迁移率通常范围较大，需要电流电压范围都很大的设备。

■ 电流源和电压表精度要高，保证测试的准确性。

   

本次讲座主要内容

 

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讲师介绍

林彩霞

泰克资深现场应用工程师

主要负责华东区域的技术支持工作。多年以来一直在从事测试测量相关工作，积累了丰富的测试经验。目前主攻方向包括低电平信号测试、射频/射频元器件测试以及宽带信号产生与分析、信号完整性测试、自动化测试系统等。

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原文标题：直播回顾 | 宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试

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