兆易创新精彩亮相ICCAD,以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

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日前,第29届中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD)圆满召开。兆易创新受邀出席盛会,与业界各领域的龙头企业齐聚一堂,共论集成电路产业发展新机遇与新挑战。

在同期IC设计与创新应用专题论坛上,兆易创新Flash事业部市场经理王欢在演讲环节表示:“经过10多年的潜心发展,兆易创新逐步打造多元化产品与应用领域的布局,积极开拓Flash、MCU、PMU、Sensor等产品线,以完善的应用覆盖能力和深厚的方案研发经验,赋能集成电路产业的高质量发展。”

在Flash领域,兆易创新是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商,NOR Flash市占率排名全球第三,且全线Flash产品均已通过车规级认证,在几乎所有需要代码存储的应用场景均可适用。基于此,兆易创新持续完善Flash产品规划,专注于全容量、高性能、高可靠、低功耗、小封装的Flash产品开发,为更多创新应用的底层技术赋能。

功耗降低、性能不减

GD25UF系列助力延长续航时间

当前,智能穿戴设备已成为电子消费市场增速最快的品类,随着技术水平的持续提高,也给人们的生活带来了更多的便捷与幸福感。集成了传感器、多媒体、无线通信、交互及存储等技术,智能可穿戴设备可以实现用户交互、生活娱乐、人体监测等多种功能,产品形态也囊括了智能眼镜、智能耳机、智能戒指、智能手环、智能手表、智能头盔等,并在持续丰富中。据MarketsAndMarkets的报告显示,全球可穿戴设备市场规模预计将在2021年的1161亿美元基础上增长到2026年的2654亿美元,并保持18%的年均复合增长率。

在现有市场上,应用续航能力一直是用户关注的重点。NOR Flash作为设备数据的存储载体,在可穿戴应用中有着高频率的数据读写操作,此时Flash的低功耗特性显得尤为关键。

面向这一需求,兆易创新在超低功耗存储领域持续耕耘并实现多系列量产。推出GD25UF系列NOR Flash,其具备1.2V核心供电与IO接口电压,提供超低功耗模式,相比1.8V NOR Flash功耗大幅降低,且在数据传输速度、读写功耗、可靠性等关键性能指标上均达到国际领先水平。与此同时,随着主芯片采用更先进的工艺制程,核心电压也降至1.2V,与GD25UF系列1.2V NOR Flash搭配使用相得益彰,可有效简化电源设计并优化系统成本,帮助可穿戴等小容量电池供电设备提高续航能力。因此,GD25UF系列被认为有望成为下一代可穿戴应用的理想选择。

存储技术

开“卷”小封装Flash

可穿戴应用都说好

在市面常见的腕类穿戴、TWS耳机之外,智能可穿戴应用也在不断拓展产品形态,包括混合现实设备、智能戒指、智能运动鞋、智能服饰等产品也逐渐获得了消费者的追捧。以智能戒指为例,这类产品可以通过NFC绑定一部分门禁卡、便捷支付、身份识别等功能,该产品既要求Flash体积紧凑,也同时要求存储相当容量的系统代码和用户数据,因此Flash的封装尺寸需要更加小巧。

王欢表示:“在尺寸受限、日趋小型化,应用多样化的大环境下,兆易创新致力于缩小Flash封装体积、扩大同封装Flash产品容量范围以及增强Flash性能,从而适用于更多物联网设备。”例如兆易创新推出了采用1.2mm x 1.2mm USON6超小塑封封装、最大厚度仅为0.4mm的GD25WDxxK6系列NOR Flash,非常适合智能戒指、智能服饰等应用场景;更有采用FO-USON8先进封装的大容量小封装NOR Flash产品陆续上市,为腕类穿戴等应用提供大容量更小封装形式的选择。

存储技术

毫无疑问,更好的Flash产品是打造更出色的智能可穿戴设备、更卓越的用户体验的底层基础之一。兆易创新Flash针对低功耗、小封装、高可靠等方向进行专门优化,使之持续满足下一代智能可穿戴应用的各种新功能,进而帮助客户获得商业成功。

 

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