三菱电机与Nexperia共同开启硅化碳功率半导体开发

三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系，共同为电力电子市场开发硅碳（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，这些芯片将用于Nexperia开发SiC分立器件。
 

全球电动车市场正在持续扩大，助推了SiC功率半导体的快速增长。与传统的硅功率半导体相比，SiC功率半导体提供了更低的能量损耗、更高的工作温度和更快的开关速度。SiC功率半导体的高效性有望对全球的脱碳和绿色转型做出重大贡献。

 

Nexperia双极分立器件事业部高级副总裁兼总经理Mark Roeloffzen表示：“与三菱电机的这次互利的战略合作是Nexperia硅化碳发展历程的重要一步。三菱电机一直以来都是提供技术成熟的SiC设备和模块的强大供应商。结合Nexperia在分立器件和封装方面的高标准和专业技术，我们肯定会在两家公司之间产生积极的协同效应，最终使我们的客户能在他们服务的工业、汽车或消费市场提供高能效的产品。”

 

 

三菱电机的执行董事兼半导体与设备集团总裁Masayoshi Takemi表示：“Nexperia是工业领域的领先公司，拥有成熟的分立半导体技术。我们很高兴能够进入这一共同开发的合作伙伴关系，这将充分发挥我们两家公司的半导体技术。”