MRAM HS4MANSQ1A-DS1适用于导航定位系统

导航定位系统需要实时采集位置数据，并将这些数据按照一定频率采样写入非易失存储器中。导航芯片普遍采用外挂独立式存储芯片（比如Flash）的架构，极大地限制了整体系统的小型化和位置数据采样记录频率、抗噪能力的提升，并存在数据安全隐患。

 

使用MRAM HS4MANSQ1A-DS1高耐擦写特性可以提升导航芯片的数据采样写入频率（从1分钟/次至少提升到1秒/次）；HS4MANSQ1A-DS1的先进节点可拓展性可以满足导航芯片在28/22纳米工艺节点片上集成非易失存储取代外挂存储的需求，并进一步降低功耗，提升数据安全。

 

HS4MANSQ1A-DS1是一个SPI/QPI接口4M容量的MRAM，芯片可以配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口，数据可以保持10年以上。工作温度: -40℃~125℃，适用于低电压工作，休眠电流仅2μA，待机电流2mA，在导航定位系统中，提供更优异的性能与更长的续航时间。

快速的SPI接口：

• 支持标准SPI, Quad SPI, QPI模式

• 高达200MHz时钟频率@SPI SDR写

• 高达100MHz时钟频率@SPI SDR读

• 高达60MHz时钟频率@Quad SPI SDR写

• 高达100MHz时钟频率@Quad SPI SDR读

• 高达60MHz时钟频率@QPI SDR写

• 高达100MHz时钟频率@QPI SDR读

• 写操作没有延迟

因此，MRAM非常适合导航定位这类需要实时记录/分析数据的应用场景。

 

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