南京江宁国博射频集成电路产业化二期项目，投资达10亿元

　　近日，江苏南京市江宁开发区的总投资额达10亿元人民币的国博射频集成电路产业化二期工程正在紧张地进行地下室主体结构施工。据当地媒体报道，该项目总建筑面积约为15.9万平方米，预计将于明年7月底封顶，并于翌年投入使用，这将对推动国产射频集成电路产品在5G移动通信市场的国产化起到重要作用。

　　该项目由中国电子科技集团公司旗下的第五十五研究所控股的南京国博电子有限公司负责投资建设。项目内容涵盖了工厂及其配套设施，主要目的在于加强射频集成电路的封测制造能力。该项目完工后，将与一期工程共同实现射频集成电路规模化设计、制造的目标，致力成为国内宽禁带半导体器件及模块的最大供应商以及5G通信技术的领军企业。

　　据悉，该项目将充分利用五十五所在半导体外延材料、射频集成电路设计以及第二、三代半导体射频集成电路产业等领域的优势，构建全产业链射频集成电路产业集群，覆盖从材料到设计、生产、封装测试的各个环节。

　　此外，江宁开发区是我国最早布局第三代半导体产业的开发区之一，也是南京市第三代半导体产业链布局最为完善的区域。目前，该开发区已经汇聚了数十家头部关联企业，初步建成了产业链。为了进一步促进该产业链“强链补链延链”，开发区专门设立了第三代半导体产业专班，针对五个环节和23个细分方向展开大力招商。今年以来，共引进了包括英诺赛科、沅程芯电子、博锐半导体等在内的一系列产业项目。