智能仪表中的MRAM HS4MANSQ1A-DS1，容量4Mbit

工业现场广泛分布着检测温度、湿度、压力、流量等参数的传感器。与传感器相对应，工业场景中还配置了大量智能仪表，以便实时处理和记录传感器采集的数据，进而实时监控现场设备。其中，非易失存储器是智能仪表的重要组成部分。

如下图所示，智能电表和集中器需要实时保存计量数据（总、各费率电能值、需量值）和负荷曲线数据（电能值、电压值、电流值）。2020版智能电表技术规范要求电表的使用寿命不得小于16年。以1次/秒的数据保存频率计算，16年内需要保存5亿次计量数据和负荷曲线数据。

国产MRAM HS4MANSQ1A-DS具有万亿次擦写寿命和纳秒级写入速度，无需通过软件来规避传统非易失存储器读写次数不够的问题，非常适合智能电表和集中器的应用需求。

 

HS4MANSQ1A-DS1容量为4Mbit，支持SPI/QPI(串行单线/四线接口)模数。芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口，SOP8封装，由于在存储器阵列中采用MRAM技术，存储阵列中的数据将保持10年以上，可以保证工业环境下的智能仪表长期稳定的运行。

 

HS4MANSQ1A-DS1单一电源VCC仅3.3V，待机电流只有2mA，休眠电流仅有2μA，可以很好的节省仪表运行器件的电量消耗。从耐久度上来看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃环境下数据可以保留10年以上，85℃环境下数据可以保留20年以上，性能完全足够智能仪表的使用寿命，由此，国芯思辰MRAM HS4MANSQ1A-DS1可成为智能仪表存储系统的不二选择。

 

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