新型内存技术助力存储网络变革，将替代DRAM

　　据存储网络行业协会（SNIA）专家预测，21世纪20年代后期预计将出现持久内存（PMEM）颠覆，这一新兴技术或将替代DRAM等现有的储存技术。

　　值得注意的是，持久内存是一种内存与外部存储器的结合体，具备迅速持久化特性，对于硬盘读写次数频繁引发性能瓶颈问题，存在突破解决之道。

　　SNIA专家Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，以SK海力士以及美光开发的铪铁电随机存取内存为例，其表现出了超越现代DRAM的速度，然而最终谁将会成为主导这种新兴技术的竞争者，仍有待观察，而最重要的问题在于，暂时没有明确迹象表明何时何地可以实现DRAM的替换。

　　此外，铁电随机存取内存凭借其高速写入周期，成为众多强劲竞争者中的佼佼者。其中包括多种新型存储器技术如磁阻式随机存取内存（MRAM）、铁电随机存取内存 （FeRAM） 和可变电阻式存储器（ReRAM）等，它们都在争取取代SRAM、NOR闪存和DRAM等当前标准。

　　尽管MRAM在短时间内尚未展现出足以与DRAM分庭抗礼的阅读速度，但专家声称其拥有巨大潜力，未来仍有望提升。配合新型技术——自旋轨道力矩（spin-orbit torque）和电压调控磁各向异性磁随机存储器，有望进一步缩短MRAM的写入延迟时间，为其成就要素增添筹码。

　　MRAM磁阻式随机存取内存具有非易失性，从上世纪90年代开始就受到瞩目。其支持者称，该技术具备接近SRAM的性能、闪存般的非挥发特性以及DRAM级别的容量密度和使用寿数。

　　同时，铁电随机存取内存的表现亦不逊色，既有SDRAM的随机读写能力，又能像NVME那样实现非挥发性特性。而ReRAM可变电阻式存储器则属于新型非易失性存储器，和MRAM一样，属于新一代存储器的代表之一。