Qorvo推出创新紧凑型E1B封装1200V SiC模块

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo （纳斯达克代码：QRVO）宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅 (SiC) 模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。

Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”

以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23 °C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：

产品型号	描述	RDS(on) @25C (mΩ)
UFB15C12E1BC3N	1200V, 15A SiC 全桥模块	70
UFB25SC12E1BC3N	1200V, 25A SiC 全桥模块	35
UHB50SC12E1BC3N	1200V, 50A SiC 半桥模块	19
UHB100SC12E1BC3N	1200V, 100A SiC 半桥模块	9.4

 

Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE 软件）有助于产品选择和性能仿真。

审核编辑：黄飞