武汉新芯多项目获批，注册资本增至84.79亿

　　近期，武汉新芯成功申报了三项备案计划，包括高带宽存储器用多晶圆三维集成技术研究及其产业化、C2W混合键合技术研发与生产线建立以及高容值密度深沟槽电容制造流程技术研发项目。

　　首先，高带宽存储器用多晶圆三维集成技术研究及其产业化项目旨在构建多晶圆堆叠技术生产线，引进16台生产设备实现每月至少3000片（12英寸）产量。

　　其次，C2W混合键合技术研发与生产线建立项目借助三维集成芯粒与晶圆混合键合（C2W）工艺平台，提高芯片自由度和性能，改善良品率。预计该项目将带来月产3000片（12英寸）的产出能力，同时还需增加约27台研发和生产设备。

　　最后，高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目通过使用深沟槽光刻术、刻蚀术、高介电常数介质沉积和多层重布线等技术，打造高电容密度、低漏电流、高击穿电压且在不同频率和电压条件下保持稳定电容值的深沟槽电容颗粒。预计这个项目将推动我国深沟槽电容芯片自给自足，其中研发和生产设备将增加约14台，最终实现每月产能1000片12英寸晶圆。

　　值得注意的是，武汉新芯在2月29日发生多项工商变更。前股东长江存储科技控股有限责任公司撤出，取而代之的是中国互联网投资基金（有限合伙）、中银金融资产投资有限公司、建信金融资产投资有限公司以及农业银行金融资产投资有限公司等新的投资者。其注册资本规模也由约57.82亿人民币上升至约84.79亿人民币，增幅超过46.64%。同时，公司高层管理团队也换血。