融资规模约3亿美元!英诺赛科计划最早于今年内在香港进行IPO

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这家TOP 1 氮化镓厂商终于要上市了!

就在刚刚,据《路透社》旗下IFR最新消息,英诺赛科计划最早于今年内在香港进行IPO,融资规模约3亿美元(约21.6亿人民币)。

目前,英诺赛科正与中金公司和招银国际就上市事宜进行合作。

GaN

英诺赛科成立于2015年,是全球领先的氮化镓IDM企业。今年2月初,英诺赛科公布了2023年出货量等一系列成果——截止12月,英诺赛科氮化镓出货量突破5亿颗,市占率全球第一。

 

项目方面,英诺赛科在近年来也在积极扩产:

● 早在2017年11月,英诺赛科就在珠海建成投产全球首条8英寸硅基氮化镓生产线。

● 2018年6月,英诺赛科苏州项目正式落户;2021年6月,英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓生产线宣布量产

 

● 2023年11月,英诺赛科正式在苏州启用了全球研发中心,将开展8英寸GaN器件等技术技术研究,打造新型宽禁带半导体材料与器件研发基地;同期,英诺赛科还举行了“8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目(即三期银团)贷款签约仪式,获得13亿元人民币的项目融资贷款用于支持英诺赛科未来两年的扩产计划。

 

新品开发及市场开拓方面,英诺赛科在去年推出了700V高压GaN等产品;针对服务器、光伏等高功率市场推出了650V 产品,为拓展更多应用场景做准备。早在2021年,英诺赛科还量产了自研双向导通VGaN产品并导入OPPO手机,成为当时全球首款导入智能手机内部电源开关领域的GaN芯片。

可以预见,英诺赛科在GaN领域保持着积极向上的态势,若在今年成功IPO,接下来的表现会更值得期待。

 

 




审核编辑:刘清

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