西安交大耿莉教授团队在国际固态电路会议展示最新芯片研究成果

　　美国旧金山时间2月18日至22日，国际固态电路大会（ISSCC 2024）在这里举办。该大会展示了来自全球学术界及产业界的200余项前瞻性芯片研发成果，这些成果集中反映了全球集成电路设计领域的最高水平。

　　在此次会议中，中国西安交通大学微电子学院副教授樊超与合作团队共同发表了题为“基于0.07 mm²、220到23.8 GHz、8相频率源优化的磁+双注入耦合设计”的论文。

　　他们通过引入独特的“磁耦合+双注入耦合”设计理念，成功地将毫米波多相位时钟信号的相位噪声、相位精度以及芯片尺寸效率推向新的高峰，实现了同类设计中的最高品质因数（189.2dBc/Hz FoM和200.7dBc/Hz FoMA），其芯片整体性能在国际范围内独树一帜，实用价值巨大。

　　毫米波多相位时钟信号在无线通信以及高速有线网络中发挥着极其关键的作用。樊超等人的研究旨在解决毫米波多相位频率源芯片设计时面临的相位噪声、相位精度以及芯片面积效率间的冲突问题。

　　论文创新性地提出了“磁耦合+双注入耦合”设计方案，并结合风车型变压器模型，成功提高了芯片的各项性能，实现了卓越的结果。其研究成果在集成电路领域的国际知名学术期刊如ISSCC、CICC、JSSC、TCAS-I/II以及TPE等会议上发表。

　　作为全球通信界及学术界公认的集成电路设计领域的顶级盛会，自1953年创办以来，国际固态电路大会（ISSCC）已成为代表当前国际尖端固态电路技术的发源地，每年约有200篇顶级学者的作品脱颖而出。受ISSCC广泛影响，每年吸引全世界3000余名来自学界与企业界的人士汇聚一堂。