圣邦微电子推出SGM33685系列Sub-1G射频功率放大器

圣邦微电子推出 SGM33685 系列 Sub-1G 射频功率放大器（RFPA）。

芯片采用先进的 InGaP/GaAs HBT 制程，具有高线性、高效率及高稳定性等特点；支持多种 Sub-1G 协议标准和平台方案，包括 LoRa、Sigfox、Wi-Fi HaLow、Wi-SUN、CAT-M、Walkie-Talkie、FM、GSM、E-GSM 以及其它各类频率在 1GHz 以内的物联网应用。SGM33685 采用符合环保理念的 TQFN-3×3-16L 绿色封装。  

SGM33685A 典型应用电路图丨图源：圣邦微电子

SGM33685典型特性

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SGM33685 系列产品典型特性参数：

 

SGM33685A/B/C 典型特性丨图源：圣邦微电子  

SGM33685温度特性

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1. 在 -40℃ 至 +105℃ 温度范围内，SGM33685 产品系列输出功率稳定，在额定输出功率范围内增益平坦，满足各种严苛的工业环境应用。

SGM33685A 增益（Gain）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685B 增益（Gain）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685C 增益（Gain）曲线丨图源：圣邦微电子

2. SGM33685 产品系列具有良好线性输出能力，在未加外置带通滤波器的情况下，邻信道泄漏比（ACLR）也能够满足 3GPP 标准。

SGM33685A 邻信道泄漏比（ACLR）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685B 邻信道泄漏比（ACLR）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685C 邻信道泄漏比（ACLR）曲线丨图源：圣邦微电子

3. SGM33685 兼具高效率、高线性度及低功耗等特点。低功耗应用场景对射频功率放大器的电流消耗尤为关注。例如各类电池供电的 IoT 终端模组，要求在额定输出功率下，既要有良好的带外抑制能力，又要足够低的功耗，以延长电池使用寿命。SGM33685 产品系列正是针对这类应用需求而开发。

SGM33685A 功耗（ICC）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685B 功耗（ICC）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685C 功耗（ICC）曲线丨图源：圣邦微电子

SGM33685应用场景

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SGM33685A/B/C 适用于多种调制方式（BPSK、QPSK、16-QAM、64-QAM 等），支持多种带宽需求（1MHz、2MHz、4MHz 及 8MHz 四种带宽）。在 26dBm 输出功率下，传输距离达到 5km，并且满足高速率传输要求，实现远距离图传。同时，功耗低至 400mA 左右，满足户外设备低功耗需求。

SGM33685 应用示意图丨图源：圣邦微电子

审核编辑：刘清