三星否认MR-RUF方式用于HBM内存生产

　　韩国媒体NEWSIS于3月14日曝出三星电子否认路透社其将转用MR-RUF方式生产高带宽存储器（HBM）之推测。

　　实现HBM的关键所在为多层DRAM堆叠，市场主要采用两种键合作程： SK海力士旗下的MR-RUF与三星的TC-NCF方案。前者为反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充间隙；后者则为热压粘连NCF（非导电薄膜）至各DRAM层之间。

　　随着DRAM层数的增多，晶圆厚度需相应减小但所需力度却增大，可能导致翘曲加剧。因此，据部分分析人士观点，SK海力士采用的MR-RUF方式更有助于控制翘曲问题。

　　此前路透社报道提及，三星HBM3芯片良率仅10～20％，远逊于SK海力士的60～70％，为此，三星或寻求采购日本企业提供的MR-RUF模具塑料。

　　对此，三星明确表明路透社此报道不实，公司正采用NCF方案寻找最优解。坊间认为，由于三星在NCF材料研发及产量扩大方面已投入大量资金，故短期内并不宜转换为MR-RUF。IT之家曾报道，三星拟将MR-RUF技术运用于3DS RDIMM产品之中。