雷卯推荐电磁兼容保护器件-TSS半导体放电管

 

一、TSS的简介

半导体放电管, 简称TSS。TSS 是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。 由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。 但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流组件，使其续流小于最小维持电流。 半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。

TSS的选型技巧：

1、TSS的Vdm应高于被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。若选用的Vdm太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流；

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压；

3、TSS的IPP应大于电路瞬态浪涌电流；

4、根据PCB布局或喜好选用TSS封装结构。

TSS 运用领域

半导体放电管TSS广泛应用于通信、安防、工业等电子产品的通信线保护中。

1、RS232/RS422/RS485 接口

2、XDSL 和 ISDN、HDSL 传输设备

3、用户前端设备，如：电话机、传真机、Modem

4、T1/E1接口

5、仪器仪表、及其配线架、以太网、CATV设备

6、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中

TSS主要参数

l 断态电压 VRM 与漏电流 IRM：断态电压 VRM 表示半导体过压保护器不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流 IRM。

l 击穿电压 VBR：通过规定的测试电流 IR（一般为 1mA）时的电压，这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。

l 转折电压 VBO 与转折电流 IBO：当电压升高达到转折电压 VBO（对应的电流为转折电流 IBO）时，半导体过压保护器完全导通，呈现很小的阻抗，两端电压VT立即下降到一个很低的数值（一般为5V左右）。

l 峰值脉冲电流 IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。

l 维持电流 IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。一旦流过它的电流小于维持电流 IH，它就恢复到截止状态。

l 静态电容 C：半导体过压保护器在静态时的电容值。

3. TSS特点

l 击穿（导通）前相当于开路，电阻很大，漏电流小，一般为几微安甚至零点几微安；

l 击穿（导通）后相当于短路，TSS管两端电压接近0V，可通过很大的电流最大几百安培，VT压降很小；

l 具有双向对称特性。

l 响应速度都很快，ns 级。

l 击穿电压一致性好。

l 封装有SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,TO-92,DO-15,DO-27等，目前以SMA,SMB为主流。

二、上海雷卯TSS展示

三、雷卯方案推荐

1. CAN接口静电浪涌保护方案

用于CAN接口的浪涌保护，采用低残压的TSS，有效保护接口,

IEC61000-4-5 浪涌10/700μs，8KV。

2. LED开路保护方案

PLED开路保护器件专用于LED灯珠串联电路,当某一个 LED 灯珠损坏或开路时并不影响其他 LED灯珠的正常工作；并同时具有防过压保护性能，使得 LED 能抵抗瞬时雷击。

具有导通电压低、反应迅速、故障排除后可自恢复等

特点，大大提高了 LED 电路工作的稳定性。

应用说明

LED 灯珠正常工作时：

D1~Dn 位置的LED 灯珠正常工作时，电路工作电压为 3.3V~3.5V，PLED开路保护器件对电路没有影响。

LED 灯珠出问题时：

当电路中某一LED 灯珠处于开路状态时，PLE开路保护器件启动，充当旁路导线的作用，PLED两端电压小于 1 V。其他 LED灯珠可以继续正常工作。当开路的 LED恢复正常工作后，PLED开路保护器件自动恢复到关断状态。

3. RS422 RS485静电浪涌保护方案

采用低残压的TSS，有效保护RS422 RS485芯片，TSS反应时间为ns级，既可防浪涌，又可防静电. IEC61000-4-5 浪涌10/700μs，6KV。

4. SLIC 用户接口电路防护 LM61089B

LM61089B 是一种双正向传导缓冲门晶闸管（SCR）过压保护器。其设计用于保护单片 SLIC

（用户线路接口电路）防止雷电、交流电源触点和感应引起的电话线路过电压。这个

LM61089B 限制超过 SLIC 供电轨电压的电压。指定 LM61089B 参数以允许设备符合 Bellcore GR-1089-CORE 第 2 版和 ITU-T 建议 K.20、K.21 和 K.45。 LM61089B 参数如下。

海雷卯电子科技有限公司，成立于2011年，品牌Leiditech，是国家高新技术企业。公司研发团队由留美博士和TI原开发经理组建，凭借技术精湛的研发队伍和经验丰富的电磁兼容行业专家，主要提供防静电TVS/ESD以及相关EMC元器件（放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感）。

Leiditech围绕EMC电磁兼容服务客户，自建免费实验室为客户测试静电ESD（30KV）、群脉冲EFT(4KV)、浪涌（8/20，10/700 10/1000）、汽车抛负载（7637 5a/5b）和元器件的性能测试等。Leiditech紧跟国内外技术更新脉搏，不断创新EMC保护方案和相关器件，目标方向为小封装，大功率，为国产化替代提供可信赖方案和元器件。

TSS的简介

半导体放电管, 简称TSS。TSS 是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。 由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。 但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流组件，使其续流小于最小维持电流。 半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。

TSS的选型技巧：

1. TSS的Vdm应高于被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。若选用的Vdm太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流；

2. 转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压；

3. TSS的IPP应大于电路瞬态浪涌电流；

4. 根据PCB布局或喜好选用TSS封装结构。

Information of TSS

Thyristor Surge Suppressors, referred as TSS, TSS is based on the principle of SCR using ion implantation and production of a new type of protective device, with precise turn-on, rapid response (response time NS grade), surge absorption ability, bi-directional, high reliability characteristics. Due to its surge capacity is stronger more than same size TVS , and can be used instead TVS tube in passive circuits.

They are small in size compared to their high surge current ratings. Operating voltages range from 20 Volts to 250 Volts with current ratings of 50 Amps to 200 Amps for a 10/1000µs waveform. Package configurations include axial lead, surface mount or cellular discs.

The selection tips of TSS:

1. Vdm of TSS should be higher than the Max of the protected circuit DC or standard rated voltage working voltage, circuit and "high-end" allowances. If the Vdm is too low, the devices may enter an avalanche or much reverse current circuit to work properly. The serial should be connected the component voltage ,and the parallel to partial current;

2. VBO of the TSS must be less than the permitted circuit maximum instantaneous peak voltage.

3. The IPP of TSS should be higher than the transient surge circuit;

Selecting the package according the PCB or preference.

审核编辑 黄宇