MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命

固态硬盘（SSD）主要由控制器、DRAM和NAND Flash构成，存在异常掉电而丢失数据等问题，通常需要配备电容和电源故障检测模块。如下图所示，该技术方案将Write Buffer和FTL Changes保存在MRAM中，可显著减少SSD对电容数量的需求。
 

此外，SSD的随机写工作模式加剧了WA（Write Amplification）问题，严重影响SSD的擦写寿命。如下图所示，小块数据被缓存在MRAM的Write Buffer中，经过合并重组等操作，以顺序方式写入NAND Flash。该技术方案减轻了WA问题，降低了随机写操作对SSD的寿命影响。

SSD原理框图

国芯思辰MRAM HS4MANSQ1A-DS1非常适用于需要极高数据可靠性的应用，其容量为4Mbit，支持SPI/QPI(串行单线/四线接口)模数。芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口，SOP8封装，可以保证SSD长期稳定的运行。

HS4MANSQ1A-DS1封装图

此外，MRAM HS4MANSQ1A-DS1单一电源VCC仅3.3V，待机电流只有2mA，休眠电流仅有2μA，可以很好的节省SSD运行器件的电量消耗。从耐久度上来看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃环境下数据可以保留10年以上，85℃环境下数据可以保留20年以上，性能完全足够SSD的应用。

 

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