预期HBM供应将大幅增长，驱动DRAM产业发展

　　据调研公司 TrendForce 数据显示，展望至 2024年末，全球DRAM行业HBM TSV（硅通孔）的实际产量预计将提升至25万吨/每分钟，约占全球DRAM总量的14%。值得注意的是，HBM供应量在这几年间逐年增长，年增长率高达260%。另据估计，2023年轻，HBM的产值在整个DRAM行业内所占比重约为8.4%，但到2024年末，这个比例将上升至20.1%。

　　担任分析师职务的人员对于HBM的面貌做出解释，指出与同等容量和制程的 DDR5比较，HBM虽然能提供更大的尺寸储存空间，然而其良品率却相对较低，普遍低20%-30%。在生产周期上，相比于 DDR5，HBM的制造过程（包括TSV）要更为复杂，通常需多耗时1.5~2个月。

　　由于HBM生产周期较长，从投片到完成产出、封装的过程综合下来可能超过两个季度，因此提前预订的购买者才能保证足够的供货需求。

　　据该公司所得信息，大部分针对2024年度的订单都已交付给供应商。

　　同时，该研究机构也对主要的HBM制造商预设的HBM/TSV产能进行预测，如三星年内每分钟HBM TSV产量或将高达13万吨，紧接着是SK海力士，产能估算范围为12-12.5万吨，美光稍显不足，预期产能仅有2万吨。当前，三星、sk海力士两大厂计划增加HMB产能最为积极，特别是SK海力士在HBM3市场的份额已经超过90%，而三星将连续多个季度持续增加产能，该举措将得益于 AMD MI300芯片的逐步推广和销售量的稳定增长。