IGBT栅极驱动器光电耦合器:TLP351H,TLP701H

　　为小功率 IGBT 和 MOSFET 提供直接驱动，而且最高工作温度可达到125℃。

　　

 

　　近几年，随着工业用品和消费品中印刷电路板的组装密度的增加，出现将机载半导体元件加热到高温的趋势。对于这种半导体元件而言，意味着对于在工作温度範围内保证性能和高环境温度下可靠性要求的提高。为应对这种要求，东芝开发出两种光电耦合器，TLP351H 和 TLP701H。除能够直接驱动类似的小功率 IGBT 和 MOSFET 外，这些新开发的光电耦合器保证它们当前产品 TLP351 和 TLP701 的最大工作温度为从 100℃ 至 125℃。

　　TLP351H (DIP8封装)

　　封装在 DIP8 封装中的 TLP351H 光电耦合器可直接驱动小功率 IGBT 和 MOSFET 的栅极。由于採用新开发的 LED，TLP351H 保证工作温度範围为 -40℃ 至 125℃。与其当前产品 TLP351 类似，TLP351H 使用 BiCMOS 工艺製造，因此需要不超过 2 mA 的电源电流，并具有在该行业中功率消耗最低的特点(注 1)。TLP351H 适用于始终在高温条件下运行的家用器具和工业用途。

　　TLP701H (SDIP6 封装)

　　封装在 SDIP6 封装中的 TLP701H 光电耦合器可直接驱动小功率 IGBT 和 MOSFET 的栅极。TLP701H 佔用 DIP8 封装大约一半的封装尺寸，并符合国际安全标準的强制绝缘要求(待 VDE 认证)。由于採用与 TLP351H 相同的 LED，TLP701H 同样保证工作温度範围为 -40℃ 至 125℃。

　　注 1：根据东芝公司于 2010 年 5 月执行的 IGBT/功率-MOSFET 门驱动器光电耦合器调查。

　　管脚配置

　　

 

　　封装尺寸

　　

 

　　注 2：长爬电距离和表面安装选项可用于引线成形。关于细节，参见其相应的技术资料表。

　　注 3：长爬电距离选项可用于引线成形。关于细节，参见其相应的技术资料表。

　　与现有产品的比较