韩国创新型相变存储器结合DRAM和NAND优点

　　近期，韩国科技先进研究院成功研发出一种新型相变存储器（PCM），该技术可根据需求灵活执行结晶（低电阻）或非晶体（高电阻）的切换，使其既具备DRAM高速且易丢失数据的特点，又具NAND闪存的掉电保护功能，堪称两者优点集大成者。

　　然而，尽管PCM技术兼具速度与非易失性两个优点，但由于制造工艺复杂且成本较高，同时还需消耗大量能量将相变材料加热至非晶态，导致生产过程耗电量巨大。

　　针对此问题，Shinhyun Choi教授领导的科研团队创新地提出了另一种解决方案——即仅对直接参与相变过程的组件进行压缩，以此创造一种名为相变纳米丝的全新相变材料。

　　这种新方法显著提升了制造成本与降低了能耗，相对于传统采用高价光刻工具制造的相变存储器，新式PCM的耗电量仅为原来的1/15。此外，新型相变存储器仍保留了传统存储器的诸多优良特性，如速度快、ON/OFF比大、变化小以及多级存储特性等。

　　Choi教授表示，他们预期这项研究成果将成为未来电子工程领域的重要基石，有望广泛应用于高密度3D垂直存储器、神经形态计算系统、边缘处理器及内存计算系统等领域。