SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年内存或供应不足

　　韩国 SK 海力士于 4 月 25 日透露在季度财报电话会议上，他们承诺第三季度能够成功研发出 12 层堆叠的 HBM3E 系列芯片，然而由于供应压力，可能在下半年出现短缺现象。

　　当前国际巨头三星电子已经推出了自己的 12Hi HBM3E 产品，每颗芯片容量高达 36GB，并已开始向客户提供样品，预计下半年将实现大规模生产。

　　SK 海力士表示，今年的重点是满足客户对 8Hi HBM3E 的需求，同时也为明年客户对 12Hi HBM3E 的需求增长做好充分准备。

　　HBM3E 内存的价格比 HBM3 高，因为它具有更大的带宽和容量。

　　在电话会议上，SK 海力士强调将优先保证高附加值和需求明确的 HBM 内存供应，同时指出 HBM 内存芯片的尺寸是普通 DRAM 的两倍，这将对常规 DRAM 的晶圆投片产生影响，预计下半年产能将受限。

　　SK 海力士预测，若下半年个人电脑和智能手机需求恢复，现有库存消耗殆尽，内存市场将面临紧张局面。

　　关于未来的 HBM4 内存，SK 海力士表示将推迟采用混合键合技术，因其技术难度大，引入可能会对产能和质量造成风险。

　　SK 海力士计划在 16Hi HBM 中继续使用现有的 MR-MUF 键合技术，直到混合键合技术成熟后再进行应用。