中国将面临发展存储器的历史性机遇

2016年12月30日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元，主要生产存储器芯片，总占地面积1968亩。 此次正式开工建设的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的储存型快闪存储器FAB厂房。

紫光集团董事长赵伟国表示：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，昨天我刚刚在成都，和四川省签下了两千亿的协议。我们会在那里投资一个，也是一个超过两百亿美金芯片的工厂“。紫光布局半导体战略，先是与成都市、新华集团共同签署战略合作协议，要在四川打造百亿云计算中心。

存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，据统计，存储芯片在整个芯片市场占比超过25%，未来将达到45%左右。国家存储器基地正式动工建设不仅仅是一个项目的开工，更具有特别的意义，存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。

中国面临发展存储器的历史性机遇，或许是最后的机遇。

一是国际半导体产业在向中国转移；

二是中国消费市场巨大，有足够的需求拉动消费；

三是存储器行业出现新的增长引擎，如物联网、大数据中心、智能家居、穿戴设备等；

四是新技术的出现，老技术迎来拐点，中国有望出现发展存储器捷径，缩小差距；

五是国家政策对半导体产业的大力扶持，是中国产业界发展存储器的良好契机。

虽然中国自主3D储存型快闪存储器面临难得机遇期，但由于门槛较高，仍有很长且很艰巨的路要走，这是一个持久战，我们需要有清醒的认识和思想准备。从三星、东芝、海力士、美光的3D储存型快闪存储器研发经历也可以看出，尽管他们都投入了大量资源，但仍耗费相当长的时间才构建完成，3D储存型快闪存储器技术的发展成熟以及制作当中所必需的精密工艺技术都需要长时间打磨方可实现。

国家存储器基地项目的实施将打破我国主流存储器领域的空白

CBN点评：国家存储器基地项目建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，为行业发展起到推动作用。A股市场相关概念股紫光国芯、深科技、音飞储存以及长电科技等有望受益。

芯片国产化是我国在信息安全自主可控政策的实践领域之一，作为信息技术的基础产业，半导体集成电路持续受到了国家政策的扶持。而存储器是集成电路产业的基础产品之一，产品的成熟度和产业的规模效应均较为显著，国家存储器基地的建立，标志着芯片国产化之路迈出可靠而重要的一步。

存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。

在半导体产业上升为国家战略的大背景下，我国芯片产业链上的企业发展前景值得期待。从上市公司来看，紫光国芯是国内IC设计龙头企业，主要产品包括智能芯片、特种集成电路及存储芯片。公司技术积累雄厚，市场优势突出，是国内稀缺的IC设计、制造平台型公司。