美光扩大在台投资加快先进制程布局追赶三星

美国内存大厂美光（Micron）合并华亚科技后，中国***地区成为美光的 DRAM 生产基地，内部设定以超越三星为目标，并全力冲刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先进制程脚步，去年及今年总计投资 20 亿美元，将台中厂（原瑞晶）的制程提升至 1x 纳米，另外，集团今年也将在中国***地区扩大招募 1，000 名员工，要在先进制程技术上加快布局进度以赶上三星。

美光桃园厂营运长叶仁杰在农历春节后接任，他指出，美光整并前华亚科后，软件、后台、采购平台的整合，人员融合等进度均顺利，目前该厂 12 万片的月产能已经全数转进 20 纳米制程，今年将以提升生产效率为目标。

另外，随着全球内存业整并潮持续进行，市场也传出美光将聚焦 DRAM 和 3D NAND Flash，退出编码型闪存（NOR Flash），拟处分旗下 NOR 芯片事业，并传出华邦电和中国兆易创新为可能的市场买家。美光内部证实确有此规划，但发言体系并未透露相关细节。华邦电总经理詹东义则表示并未听说，但会慎重进一步研究。