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采用不同技术制造的钽电容器的故障模式

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:314 | 2008-07-17

申根换

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  钽电容器的故障模式的讨论基本包括
两方面:标准二氧化锰负极类型和新导电聚合
物(CP)类型。标准钽电容器在正常工作模式
下,由于电脉冲和电压水平,使沟道(通道)
中电导增加,而导致电击穿。这会导致随后的
热击穿,将电容器击毁。在相反模式下,我们
已经通报过:在相对低的电压水平下,焦耳热
会引起导电增加,从而触发热击穿。最终导致
反馈循环,包括:温度-电导 -电流-焦耳热,
最终形成电击穿。这两种击穿模式具有随机特
征,很难提前定位。相对于标准钽电容器而
言,导电聚合物(CP)电容器则显示了稍微
不同的电流导电机理。导电聚合物的介质击穿
近似于雪崩击穿和场致发射击穿。是由于两电
极之间的引力,电化学衰变,枝状结晶组织等
原因导致的机电崩塌。然而,也出现了某些负
极膜发生自愈现象报告。这可能源于膜蒸发,
碳化和再氧化过程。但并非所有的电容器击穿
会导致自愈现象或开路状态。可能也会出现短
路情况。

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