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GaN HEMT晶体管功率放大器热优化
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GaN HEMT晶体管功率放大器热优化
氮化镓功率晶体管具有非常高的射频功率密度，其范围为栅极外围的每毫米4至12瓦，取决于工作漏极电压。即使在SiC衬底上GaN和AlGaN具有高的热导率，有必要了解通道的温度上升的DC和射频设计功率放大器时产生的刺激。对于宽带放大器（一种非常流行的应用），热管理更为重要，其中漏极效率可以与频率函数相差很大。
在Cree公司的GaN HEMT大信号模型的一种新的自加热功能自动影响DC和射频参数的函数绘制电流晶体管。我们将使用一个2 cgh40025f晶体管6 GHz宽带放大器和展示晶体管的工作温度可以最小化的设计仿真阶段。默认设置为cgh40025f热电阻在4.8°C /瓦。操作箱温度（挑逗）是用户定义的。自加热引擎自动计算温度上升（文凭）的HEMT通道上方挑逗。
Trise can be used as a function of other parameters such as frequency， output power， and efficiency. This article will show the direct lowering of Trise using optimization in unison with the maintenance of output power. Such thermal optimization assures reliable operation as well as improved performance since the transistors are operating cooler.
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