资料下载
脉冲发生器在半导体测试中的应用
MEI_大石头
分享资料个
非易失性存储单元表征内存研究的趋势是开发一种新的存储器，称为非易失性 RAM，它结合了 RAM 的快速读取与大容量存储器的海量内存的特点。有很多新储存单元方案，例如，FeRAM（铁电储存器），ReRAM（电阻储存器）， MRAM（磁阻储存器），STT-MRAM （自旋转矩磁阻储存器），PCM（相变存储器）。这些类型的储存器是以使用不同的物理原理改变材料传导性为基础。例如，在电介质材料层中一根细线的形成或破坏，材料结构由非晶转变为多晶或与磁场一直。在本应用案例中，我们介绍如何使用脉冲发生器测试 STT-MRAM 储存单元。 MRAM 储存单元使用磁性隧道结（MTJ）储存数据，MTJ 由薄氧化层隔离开的两块电磁铁构成，如果两块电磁铁的磁场指向同一方向，电子可以通过绝缘层从一个电磁铁传导到另一个电磁铁。第一块电磁铁具有固定的磁场，第二块电磁铁的方向可以通过电流脉冲改变，所以转换磁场方向就可以改变叠片的传导性。为了写入或者擦除一比特数据，需要在叠片中通过一个电流脉冲；磁场的假设方向取决于电流脉冲方向。写入或者擦除的效率取决于脉冲的持续时间和幅度，所以在此项技术的研究和探索阶段，测试不同脉宽和幅度的组合是非常有用的，一个简单的实现方法是使用一台脉冲发生器，市面上一般的脉冲发生器都支持脉宽、幅度、重复频率可变。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
- 相关下载
- 相关文章
