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0.6-8GHZ的CMOS超宽带低噪放大器应用研究
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2017-09-07
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给出了一个针对0.8GHZ-6GHZ的超宽带低噪声放大器UWBLNA设计。设计采用0.18umRFCMOS工艺完成。
图1给出了共栅级结构及其小信号分析等效电路。图1a中cmos管M1的源极通过电感Ls与地相连。Ls在此处的作用就是通过与mos管的栅源电容Cgs构成谐振网络，以便使输入匹配达到设计要求。
图1b中R0表示M1的输出阻抗。短沟道mos的输出阻抗比较低，对于0.18um工艺来说，输出电阻大约是500Ω。因为R0的存在，共栅极的负载阻抗ZL以及下一级电路的输入阻抗Zin2会影响低噪放的输入匹配，进而使得电路噪声性能恶化。
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