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MOSFET场效应管参数描述

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.6 MB | 2017-09-11

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  PI5101µRDS(on)FET方案结合了一个高质素的5V,360µΩ横向N沟道的场效应管和利用一个祗有4.1mmx8mmx2mm的LGA(LandGridArray)封装,使产品于工业标准的SO-8封装范围内达到世界级水平。PI5101为DC和开关应用提供史无前例的探测优值。

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