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几种MOSFET驱动电路介绍及分析

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.1 MB | 2017-09-29

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  功率MOSFET的工作原理

  几种MOSFET驱动电路介绍及分析

  截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。

  导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面

  当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。

  几种MOSFET驱动电路介绍及分析

  一。 不隔离的互补驱动电路

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