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镁光MT29F闪存规格书
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Open NAND Flash Interface （ONFI） 3.0-compliant• Multiple-level cell （MLC） technology
• Organization– Page size x8： 17，600 bytes （16，384 + 1216 bytes）– Block size： 512 pages （8192K + 608K bytes）– Plane size： 2 planes x 1024 blocks per plane– Device size： 128Gb： 2048 blocks;256Gb： 4096 blocks;512Gb： 8192 blocks;1Tb： 16，384 blocks• NV-DDR2 I/O performance– Up to NV-DDR2 timing mode 6– Clock rate： 6ns （NV-DDR2）– Read/write throughput per pin： 333 MT/s• NV-DDR I/O performance– Up to NV-DDR timing mode 5– Clock rate： 10ns （NV-DDR）– Read/write throughput per pin： 200 MT/s• Asynchronous I/O performance– Up to asynchronous timing mode 5–tRC/tWC： 20ns （MIN）– Read/write throughput per pin： 50 MT/s• Array performance– Read page： 115µs （MAX）– Program page： 1600µs （TYP）– Erase block： 3ms （TYP）• Operating Voltage Range– VCC： 2.7–3.6V
– VCCQ： 1.7–1.95V
• Command set： ONFI NAND Flash Protocol• Advanced Command Set– Program cache– Read cache sequential– Read cache random– One-time programmable （OTP） mode– Multi-plane commands– Multi-LUN operations– Read Unique ID– Copyback
• First block （block address 00h） is valid when shipped from factory. For minimum required ECC， seeError Management （page 146
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