场效应管和三极管区别

　　什么是场效应管

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

　　

　　场效应管与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；

　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

　　（5）场效应管的抗辐射能力强；

　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　什么是三极管

　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

　　

　　工作原理

　　晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。

　　场效应管和三极管区别

　　场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

　　

　　场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器前置级。

　　1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。 场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子

　　2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流 场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流

　　3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大

　　4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换

　　5、场效应管的频率特性不如三极管

　　6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级

　　7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适