资料下载
GaN技术在开关组件中的应用及其EMI影响分析
分享资料个
1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓（GaN）技术进行高功率开关组件（Switching Device）的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数（Power Integrity - Measuring， Optimizing， and Troubleshooting Power Related Parameters in Electronic Systems）”一书的作者Steve Sandler，他提出与测量这些设备的皮秒边沿（Picosecond Edge）速度相关联（可参看他文章索引的部分）。
由于这些新电源开关的快速开关速度与相关更高效率，因此我们希望看到他们能适用于开关模式电源和射频（RF）功率放大器。他们可广泛取代现有的金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）， 且具有较低的“On”电阻、更小的寄生电容、更小的尺寸与更快的速度。我已注意到采用这些装置的新产品，其他应用包括电信直流对直流（DC-DC）、无线 电源（Wireless Power）、激光雷达（LiDAR）和D型音频（Class D Audio）。很显然，任何半导体组件在几皮秒内切换，很可能会产生大量的电磁干扰（EMI）。为了评估这些GaN组件，Sandler安排我来测试一些评估板。一块我选择测试的是Efficient Power Conversion的半桥（Half-bridge ）1MHz DC-DC降压转换器EPC9101（图1），请参考这块测试板上的其他信息，以及一些其他的参考部分。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
- 相关下载
- 相关文章
