简化的MOSFET等效电路,看Rds和Rg电阻损耗

描述

    简化的MOSFET等效电路

电阻损耗

MOSFET开通(turn on)过程

电阻损耗

MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗

电阻损耗

Diode损耗——肖特基不计反向恢复损耗

电阻损耗

L/C损耗

电阻损耗

IC损耗

电阻损耗

小结

综合上述分析可知,影响效率的因素主要有Rds(on),开关频率,有效值电流。

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