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NAND FLASH存储模块设计（XC3S1600E和NAND512W3A构成）
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2017-10-31
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目前最新型的弹载黑匣子在实时性、大容量、高可靠性、高速率等方面又有了新的要求，炮弹弹道实验中姿态、轨迹、旋转速率等参数在被采集后需要及时存人存储模块中。传统的数据存储模块多用ARM作为其控制核心，但是由于ARM 的时钟频率较低且需用软件实现数据存储，这使得存储的速度和效率较低，在整个存储周期中大多为软件的运行时间。而FPGA 有ARM 无法比拟的优势，FPGA 时钟频率高、内部延时小，全部控制逻辑由硬件完成，速度快、效率高。在此技术基础上，为了满足数据存储对速度的要求，本文将介绍一种基于FPGA，采用VerilogHDL硬件描述语言设计实现的高速数据存储模块。存储芯片采用意法半导体公司的NAND512W3A，利用FPGA 构建读写FIFO 缓存、硬件擦除和读写以及坏块屏蔽NANDFLASH，从而加快了黑匣子数据存储的速度和可靠性。
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