nmos高端驱动自举电路

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nmos高端驱动自举电路

发表于 2017-11-06 10:20:22
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     一、电容自举驱动NMOS电路

        VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地,所以加载在电容C2两端的电压约为14V。

  nmos高端驱动自举电路

  图1电容自举驱动NMOS电路

  (1) 当V1输入高电平时,Q1、Q4导通,B通道输出高电平,Q2截止,C通道输出高电平,Q3导通,D通道输出高电平48V,由于C2两端电压14V,所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压,即电容C2的正极电压位62V左右,经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极,电容C2起到了自举抬升电压的作用,使Q3持续导通。

  (2) 当V1输入低电平时,Q1、Q4截止,B通道输出低电平,Q2导通,Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路(栅极电压通过Q2、电阻R1放电),使得电容C2的负极电压接近0V,即D通道输出低电平。

  nmos高端驱动自举电路

  图2 电容自举驱动NMOS电路仿真

  二、MOSFET驱动电路

  nmos高端驱动自举电路

  图3 MOSFET驱动电路

  (1) 当V1=V2=5V时,Q1、Q4导通,Q2截止,VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极,Q3导通;Q6、Q7截止,Q8导通,Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路,Q5截止;

  (2) 当V1=V2=0V时,Q1、Q4截止,Q2导通,Q2的导通为Q3的栅极提供放电回路放电电流经过Q2、Q5到地;Q6、Q7导通,Q8截止,VCC经过Q7、电阻R1到达Q5的栅极,Q5导通。

  实际应用中,保持V1、V2同相可以避免上下管同时导通。

  三、推挽驱动NMOS电路

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  图4推挽驱动NMOS电路

  (1) 当V1=3.3V时,Q3导通,P1为低电平,使得Q2截止、Q4导通,Q4的导通为Q1的栅极提供放电回路,P2为低电平,Q1截止。

  (2) 当V1=0V时,Q3截止,电阻R2将P1钳位在高电平,使得Q2导通、Q4截止,Q2的导通为Q1的栅极提供充电电路,P2为高电平,Q1导通。

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  图5 推挽驱动NMOS电路仿真

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