SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的区别对比及其特点分析

缓冲/存储技术

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描述

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):为同步动态随机存取内存,前缀的Synchronous告诉了大家这种内存的特性,也就是同步。1996年底,SDRAM开始在系统中出现,不同于早期的技术,SDRAM是为了与中央处理器的计时同步化所设计,这使得内存控制器能够掌握准备所要求的数据所需的准确时钟周期,因此中央处理器从此不需要延后下一次的数据存取。举例而言,PC66 SDRAM以66 MT/s的传输速率运作;PC100 SDRAM以100 MT/s的传输速率运作;PC133 SDRAM以133 MT/s的传输速率运作,以此类推。

SDRAM亦可称为SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM),Single Data Rate为单倍数据传输率,SDR SDRAM的核心、I/O、等效频率皆相同,举例而言,PC133规格的内存,其核心、I/O、等效频率都是133MHz。而Single Data Rate意指SDR SDRAM在1个周期内只能读写1次,若需要同时写入与读取,必须等到先前的指令执行完毕,才能接着存取。

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM):为双信道同步动态随机存取内存,是新一代的SDRAM技术。别于SDR(Single Data Rate)单一周期内只能读写1次,DDR的双倍数据传输率指的就是单一周期内可读取或写入2次。在核心频率不变的情况下,传输效率为SDR SDRAM的2倍。第一代DDR内存Prefetch为2bit,是SDR的2倍,运作时I/O会预取2bit的资料。举例而言,此时DDR内存的传输速率约为266~400 MT/s不等,像是DDR 266、DDR 400都是这个时期的产品。

DDR2 SDRAM(Double Data Rate Two SDRAM):为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit(DDR的两倍),DDR2的I/O频率是DDR的2倍,也就是266、333、400MHz。举例:核心频率同样有133~200MHz的颗粒,I/O频率提升的影响下,此时的DDR2传输速率约为533~800 MT/s不等,也就是常见的DDR2 533、DDR2 800等内存规格。

DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit,即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3传输速率介于 800~1600 MT/s之间。此外,DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V,较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR(Automatic Self-Refresh)、SRT(Self-Refresh Temperature)等两种功能,让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率,以确保系统数据的完整性。

DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth SDRAM):DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽,DDR4的传输速率目前可达2133~3200 MT/s。DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计,各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性,Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象,亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内,至多可以处理4 笔数据,效率明显好过于DDR3。 另外DDR4增加了DBI(Data Bus Inversion)、CRC(Cyclic Redundancy Check)、CA parity等功能,让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。

SDRAM

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