仅次于10nm工艺,台积电引入最先进16nm工艺,预计明年5月投产

　　据报道，台积电南京工厂将会在明年5月提前量产30mm晶圆，据悉，台积电会引进16nm FinFET制造工艺，仅次于10nm FinFET，并在南京设立一个设计服务中心来吸引客户订单。

　　据台积电联席CEO刘德音（Mark Liu）披露，台积电位于南京的300mm晶圆厂将于2018年5月份投入量产，比原计划的2018年下半年提前了一个季度还要多。

　　台积电南京晶圆厂于2016年7月份破土动工，2017年9月份开始设备安装，将会引入16nm FinFET制造工艺，并在南京设立一个设计服务中心来吸引客户订单。

　　这是台积电目前已量产的第二高级的工艺，仅次于10nm FinFET——按照相关政策，最先进的工艺是不允许引入内地的。

　　即便如此，这也将成为内地最先进的工艺——目前内地最好的还是28nm，最流行的依然是40/45nm。

　　刘德音还表示，除了高性能计算、IoT物联网、汽车电子、移动设备，台积电未来还会专注于AI人工智能、5G设备平台，并且正与大量客户密切沟通，计划用12nm、10nm、7nm工艺制造AI和机器学习芯片。

　　使用新的7nm工艺，台积电还为40多家客户研发了5G相关新品，将于2018年量产。