三星利用二代10纳米工艺研发出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10纳米工艺研发出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10纳米级芯片相比第一代速度提升10%。

12月20日消息，记者报道称，三星电子表示，其已开发出全球最小的动态随机存取记忆体（DRAM）芯片，较竞争对手的技术领先优势扩大。

三星电子称使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

受半导体业务带动，该公司今年营业利润料创下纪录高位。

三星在声明中称，“第二代”10纳米级8Gb DRAM芯片的功耗和数据处理性能均改善，将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。

三星称，将在2018年把多数现有DRAM生产转为10纳米级芯片。该公司在电脑芯片、电视和智能手机行业全球领先。

三星电子记忆芯片部门（Memory Business）总裁Gyoyoung Jin称，这一“积极的”生产扩张，将“适应市场的旺盛需求。”

三星电子在10月底任命了半导体等三个主要业务部门新一代高管后，称，眼下不会寻求扩大芯片出货，但着重于投资，以维护长期市场地位。