CMOS射频前端牛逼的技术 挑战传统工艺

电子发烧友网工程师 发表于 2018-04-13 12:16:00 收藏 已收藏
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CMOS射频前端牛逼的技术 挑战传统工艺

电子发烧友网工程师 发表于 2018-04-13 12:16:00

现阶段,无线连接市场发展迅速,市场规模不断扩张,其中主要驱动力是移动设备以及物联网应用的爆发式增长。在无线连接中射频前端芯片有着关键的作用,目前主要采用GaAs或SiGe工艺,但由于其材料的稀缺性及工艺的复杂性,射频前端芯片的良率并不高,而RFaxis公司采用行业标准的bulk CMOS技术制造射频前端芯片,能够提升射频前端芯片生产水平,并降低成本。

CMOS工艺优势巨大

RFaxis的产品线主要以wifi以及一些IoT应用为主,公司拥有多项专利。

RFaxis的主要产品是RFIC,主要应用在射频前端部分,射频前端的主要功能是连接射频接收器和天线,用以增大输出功率、提高接收灵敏度、增加传输速率及距离。传统的RFIC由各自独立的PA、LNA(低噪声放大器)、SWITCH(开关)和分立器件所组成,采用GaAs工艺将其结合在一个模块里。另外,也有采用SiGe工艺的产品,但是同样的,其集成度远低于纯CMOS工艺产品。

“通过X光照发现,竞争对手的产品至少在一个芯片内都有两个裸片,这些裸片会通过wire bonding连接在一起,而我们的芯片是完全由一个单裸片所组成,而且这样性能会更加优化。” RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan说。

CMOS射频前端牛逼的技术  挑战传统工艺

图 1 芯片X光照对比

RFaxis号称是全球唯一一家可以提供纯CMOS工艺生产RFIC的公司,同时,采用CMOS工艺生产的芯片,与包括Avago、Qorvo(RFMD与Triquint合并之后的新公司)在内的竞争对手相比,性能相当。而且因为采用的是纯CMOS工艺生产,使得产品无论是工艺还是交货周期都优于GaAs工艺。

Biagan说:“总结起来,我们的产品的优势是:一 成本更低;二 集成度更高;三 超越竞争对手的性能;四 更好的ESD保护性能,这是因为CMOS工艺的电导性更好,工作温度也更高;五 客户的外部电路更简单,客户更易于开发,系统成本也更低。”

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