台积电再失机会 高通7nm 5G芯片被三星抢先

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台积电和三星一直都是属于竞争状态,近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片由三星代工,台积电再一次落后三星。比较当前的10nm FinFET工艺,7nm会在某些地方更占优势。

三星在官网宣布,高通未来的5G移动设备芯片将基于他们的7nm LPP工艺制造,该技术节点会引入EUV(极紫外光刻)。

2017年5月,三星首秀了7nm LPP EUV工艺,同年7月,三星放言,在2018年会比对手台积电更早地量产7nm。

三星透露,比较当前的10nm FinFET工艺,7nm将实现面积缩小40%、10%的性能提升、35%的功耗下降。

有趣的是,高通在本月还推出了基于7nm工艺的X24基带,但是一款4G LTE产品,不知道是不是三星参与打造,毕竟在这次的新闻稿中没有被证实。

而爆料大神Roland曾表示,高通的首款7nm AP是骁龙855,似乎找不出什么理由突然让台积电横插入代工。

另外,三星在2017年10月宣布正开发介于10nm和7nm的8nm中间制程,同样是和三星合作,看来两者的关系未来是更铁了。

三星位于韩国华城的半导体工厂,图片来自三星官网

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