三星砸1750亿元建新工厂DRAM内存颗粒 计划在2019年第二季度末完工

存储技术

593人已加入

描述

三星电子确认,正在韩国京畿道平泽市兴建一座新的半导体工厂,可根据市场需求生产内存、闪存等各种存储芯片。

三星目前在平泽市已有一座大型工厂,2017年年中开始量产64层堆叠NAND闪存颗粒,也可以用来生产DRAM内存颗粒。工厂初步投资15.6万亿韩元,预计到2021年总投资可达30万亿韩元,新工厂暂时名为P2 Project,距离旧工厂不远,报道称投资额达30万亿韩元(约合人民币1750亿元),但暂不清楚是初步投资还是总投资。

考虑到新工厂刚刚开工建设,1月份才开始铺设燃气管道,后续肯定还会有追加投资。

新工厂也同时具备内存、闪存生产能力,但是三星尚未决定具体先做哪一个,肯定是要看后续市场需求,比如原有工厂最初就打算生产内存。

据悉,新工厂计划在2019年第二季度末完工,因此三星最迟也要在今年年底决定是生产内存还是闪存,毕竟设备订购、制造、迁入也需要时间。

考虑到闪存供应缺口目前并不是太大,原有工厂也已经在大规模量产,而眼下内存市场依然处于高位,新工厂应该会以内存为主,自然会刺激内存进一步降价。

当然了,如果三星非要刻意控制市场供需,那就谁也没办法了,约谈也没用。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分