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基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:0.80 MB | 2018-03-07

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　　针对传统有桥Boost功率因数校正电路效率不高的问题，分析了Boost功率因数校正电路的基本结构以及控制方法，SiC器件的特点和发展历程，提出了使用SiC器件来提升其功率密度的方案。介绍了功率因数校正电路巾重要参数的设计，简述了一种适用于PFC功率电感的设计方法以及主要设计步骤，并分析了传统有桥功率因数校正电路的损耗分布情况。选取了数家公司生产的不同材料的MOSFET，搭建了对应的1.2 kW实验样机，并测量了各个样机效率。研究结果表明，在115 V交流输入下，相比infineon公司最新的具有超结结构的CoolMOS．ROHM公司的大电流Si MOSFET，使用SiC MOSFET能够提升有桥功率因数电路的工作效率。

基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究

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