资料下载
FRAM 中常见的问题及解答
分享资料个
1.什么是FRAM？
FRAM是ferroelectric random access memor}r（铁电随机存取存储器）的首字母缩写，它是非易失性存储器，即便在断电后也能保留数据。尽管从名称上说，FRAM是铁电存储器，但它不受磁场的影响，因为芯片中不含铁基材料（铁）。铁电材料可在电场中切换极性，但是它们不受磁场的影响。
2. FRAM较之闪存/EEPROM具有哪些主要优势？
1）速度。FRAM具有快速写入的特性。写入到FRAM存储器单元的实际时间小于50ns，这超越了所有其他存储器的类似操作。这大约比EEPROM快1000倍。此外，与需要两步（写入命令和随后的读取／验证命令）才能写入数据的EEPROM不同，FRAM的写入操作与读取操作发生在同一过程中。只提供一个存储器访问命令，实现读取或写入功能。因此，与EEPROM写入处理相关联的所有时间实际上在基于FRAM的智能IC中被有效地消除了。
2）低功耗。在低电压下写入FRAM单元，并且只需很低的电流即可更改数据。对于EEPROM，则需要高电压。FRAM使用非常低的电源电压一一1.5V，而EEPROM则使用10-14V电源电压。FRAM的低电压意味着诋功耗，同时能够在更快的处理速度下实现更多功能。
3）数据可靠性。由于只需要少量能量，因此操作FRAM所需的所有能量在数据写入开始时就被预先加载。这就避免了“数据分裂”一由于能源缺乏的关系导致部分数据在写入时被破坏。基于EEPROM的智能IC在写周期内被从射频（RF）磁场电源中移除时就会出现这种情况。此外，FRAM还具有100兆次的写入读取数或更多一一远远超过了EEPROM的写入数量。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
- 相关下载
- 相关文章
