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混合集成电路CMOS工艺中LowDose率对寄生双极结构的影响分析概述

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:1.01 MB | 2018-05-15

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  许多双极型线性集成电路已显示出增强的低剂量率敏感性(ELDRS),其中当暴露于电离辐射下的产品在低剂量率(LDR)时比暴露在高剂量率(HDR)时可能具有更差的总电离剂量(TID)性能。最近的测试细胞的研究表明,亚微米CMOS工艺也可能表现出ELDRS。一些CMOS产品,虽然不被认为是BiCMOS,确实包含有源双极元件使用寄生双极结构中存在的所有批量CMOS工艺。叁个混合信号CMOS产品,一个数模转换器(DAC)和两个模数转换器(ADC),使用不同的亚微米CMOS工艺和使用有源寄生双极结构,通过LDR TID测试来确定实际产品是否显示ELDR。MIL-STD-83TM1019包含一种测试方法,通过使用HDR测试以及室温煺火来限定对LDR环境的HDR TID测试失败的产品。这种测试方法先前在超微米工艺节点上被证明。已经提出,这种测试方法对于亚微米工艺是无效的。测试方法验证了亚微米CMOS产品使用LDR测试数据从一个产品在这项研究中。

  增强的低剂量率敏感性(ELDRS)已被广泛地研究并证明存在于许多双极线性集成电路[1 ] -(10)中。在这些产品上,由于总电离剂量(TID)辐射引起的电参数漂移在相对低的剂量率(LDR)下更为明显。这是对LDR环境的关注,例如空间。由于集成电路的辐射鉴定的发展,它起源于更高剂量率的基于武器的应用,并且由于其实用性。在合理的时间内进行测试,TID测试

混合集成电路CMOS工艺中LowDose率对寄生双极结构的影响分析概述

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