CMOS线性调整器的内部电路和基本结构

内部电路和基本结构

内部电路中包含基准电压源、误差放大器、预先调整输出电压用电阻、输出用P沟道MOS晶体管。此外还备有作为保护功能的定电流限制或限流电路（foldback电路）、过热停机功能等。

IC内部的基准电压源中难以构成双极工艺所使用的带隙参考电路，大多采用CMOS工艺所特有的产品，其输出电压的温度特性与双极线性调整器相比稍有逊色。

此外，低消耗电流型、高速型、与低ESR电容对应等，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。低消耗电流型通常由2级阶放大器构成，高速型则在使用同时满足低消耗电流和高速瞬态响应的3级放大器方面进行了探讨。图1表示了高速型的内部电路图。

在初级放大器和用于输出的P沟道MOS晶体管之间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。输出电压由R1和R2决定；限定电流值由R3和R4决定。由于各自能微调而设定了良好的精度。特别是高速型多用于无线电仪器或便携式电子仪器，而且具有小型化要求，大多能与陶瓷电容等低ESR电容相对应。

图1 Basic Circuitry Block Diagram of High-Speed Type Regulator