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基于23A256/23K256下的具有SPI总线的256K低功耗串行SRAM
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2018-05-25
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特性：
• 时钟频率：20 MHz （最大值）
• 低功耗 CMOS 技术：
- 读操作电流：3 mA @ 1 MHz
- 待机电流：4 µA （最大值） @ +85°C
• 32，768 x 8 位架构
• 页大小：32 字节
• HOLD 引脚
• 灵活的操作模式：
- 字节读 / 写操作
- 页模式 （32 字节 / 页）
- 连续模式
• 连续读 / 写
• 高可靠性
• 支持的温度范围：
• 符合 RoHS 标准的无铅封装，且不含卤素
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